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嵌入式培訓(xùn)

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上海報(bào)名熱線(xiàn):021-51875830
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研發(fā)與生產(chǎn) 脫產(chǎn)就業(yè)培訓(xùn)基地
3G通信 企業(yè)培訓(xùn) 
  首 頁(yè)   手機(jī)閱讀   課程介紹   培訓(xùn)報(bào)名  企業(yè)培訓(xùn)   付款方式   講師介紹   學(xué)員評(píng)價(jià)   關(guān)于我們   聯(lián)系我們  承接項(xiàng)目 開(kāi)發(fā)板  網(wǎng)校
嵌入式協(xié)處理器--FPGA
FPGA項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)系列課程----
嵌入式OS--4G手機(jī)操作系統(tǒng)
Android Framework & HAL軟硬整合技術(shù)班
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嵌入式OS-Linux
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嵌入式OS--WinCE
單片機(jī)培訓(xùn)
嵌入式硬件設(shè)計(jì)
EMI的設(shè)計(jì)原理與偵錯(cuò)防制技術(shù)高階培訓(xùn)班
Altium Designer Layout高速硬件設(shè)計(jì)
嵌入式OS--VxWorks
PowerPC嵌入式系統(tǒng)/編譯器優(yōu)化
PLC編程/變頻器/數(shù)控/人機(jī)界面 
開(kāi)發(fā)語(yǔ)言/數(shù)據(jù)庫(kù)/軟硬件測(cè)試
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3G手機(jī)軟件測(cè)試、硬件測(cè)試
芯片設(shè)計(jì)/大規(guī)模集成電路VLSI
手機(jī)電路原理、維修與調(diào)試
芯片設(shè)計(jì)/大規(guī)模集成電路VLSI系列
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汽車(chē)電子培訓(xùn)班
檢測(cè)/傳感器/大、小型機(jī)及其他
              ONCHIP(芯片上) ESD防護(hù)設(shè)計(jì)高級(jí)培訓(xùn)班
  培養(yǎng)對(duì)象
        本科及本科以上電子類(lèi)相關(guān)專(zhuān)業(yè)或在業(yè)內(nèi)具備相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)者,具備電子電路基礎(chǔ),有志于學(xué)習(xí)版圖設(shè)計(jì)課程者
   入學(xué)要求

        學(xué)員學(xué)習(xí)本課程應(yīng)具備下列基礎(chǔ)知識(shí):
        ◆電路系統(tǒng)的基本概念。

   班級(jí)規(guī)模及環(huán)境--熱線(xiàn):4008699035 手機(jī):15921673576/13918613812( 微信同號(hào))
       堅(jiān)持小班授課,為保證培訓(xùn)效果,增加互動(dòng)環(huán)節(jié),每期人數(shù)限3到5人。
   上課時(shí)間和地點(diǎn)
上課地點(diǎn):【上海】:同濟(jì)大學(xué)(滬西)/新城金郡商務(wù)樓(11號(hào)線(xiàn)白銀路站) 【深圳分部】:電影大廈(地鐵一號(hào)線(xiàn)大劇院站)/深圳大學(xué)成教院 【北京分部】:北京中山/福鑫大樓 【南京分部】:金港大廈(和燕路) 【武漢分部】:佳源大廈(高新二路) 【成都分部】:領(lǐng)館區(qū)1號(hào)(中和大道) 【沈陽(yáng)分部】:沈陽(yáng)理工大學(xué)/六宅臻品 【鄭州分部】:鄭州大學(xué)/錦華大廈 【石家莊分部】:河北科技大學(xué)/瑞景大廈 【廣州分部】:廣糧大廈 【西安分部】:協(xié)同大廈
近開(kāi)課時(shí)間(周末班/連續(xù)班/晚班)
ESD開(kāi)課時(shí)間:2025年9月15日..實(shí)用實(shí)戰(zhàn).....直播、現(xiàn)場(chǎng)培訓(xùn)皆可....用心服務(wù)..........--即將開(kāi)課--..............................(請(qǐng)抓緊報(bào)名)
   實(shí)驗(yàn)設(shè)備
     ☆資深工程師授課

        
        ☆注重質(zhì)量
        ☆邊講邊練

        ☆合格學(xué)員免費(fèi)推薦工作

        

        專(zhuān)注高端培訓(xùn)17年,曙海提供的課程得到本行業(yè)的廣泛認(rèn)可,學(xué)員的能力
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   新優(yōu)惠
       ◆在讀學(xué)生憑學(xué)生證,可優(yōu)惠500元。
   質(zhì)量保障

        1、培訓(xùn)過(guò)程中,如有部分內(nèi)容理解不透或消化不好,可免費(fèi)在以后培訓(xùn)班中重聽(tīng);
        2、培訓(xùn)結(jié)束后免費(fèi)提供半年的技術(shù)支持,充分保證培訓(xùn)后出效果;
        3、培訓(xùn)合格學(xué)員可享受免費(fèi)推薦就業(yè)機(jī)會(huì)。

        ONCHIP(芯片上) ESD防護(hù)設(shè)計(jì)高級(jí)培訓(xùn)班


培訓(xùn)對(duì)象:

從事模擬/數(shù)字/混合/RF IC,MEMS,存儲(chǔ)器和平板顯示相關(guān)的設(shè)計(jì)、制造和表征的工程師及管理者。半導(dǎo)體器件,集成電路設(shè)計(jì)和一般電子系統(tǒng)領(lǐng)域的教師和學(xué)生。

課程背景:

靜電放電(ESD)現(xiàn)象在半導(dǎo)體行業(yè)中是普遍存在的。它隨時(shí)可能發(fā)生在半導(dǎo)體器件和集成電路的制作、測(cè)試、封裝直到用戶(hù)使用的任何過(guò)程中。近期美國(guó)公布了涉及10多個(gè)行業(yè)因靜電放電造成的損失調(diào)查結(jié)果,平均每年的直接經(jīng)濟(jì)損失高達(dá)200多億美元,僅電子工業(yè)部門(mén)每年因靜電危害損壞電子元器件的損失就高達(dá)100多億美元。每年因靜電擊穿而造成失效的芯片占總失效芯片的35%。ESD的保護(hù)變得越來(lái)越重要。


隨著深亞微米及納米級(jí)IC工藝的發(fā)展和射頻、高速集成電路產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),靜電放電現(xiàn)象的破壞力日益增強(qiáng)。傳統(tǒng)的二極管靜電保護(hù)方法,已經(jīng)不能滿(mǎn)足業(yè)界對(duì)靜電防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)的要求。如何保護(hù)集成電路不被靜電擊穿,已成為各半導(dǎo)體代工企業(yè)越來(lái)越重視的問(wèn)題。靜電放電防護(hù)設(shè)計(jì)也成為集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)要重點(diǎn)解決的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題,

課 程 大 綱


第 一 階 段

芯片上ESD防護(hù)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

一.ESD防護(hù)的基本模型
1. HBM模型
2. MM模型
3. CDM模型
4.IEC簡(jiǎn)化模型5.其他模型

二.ESD測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn)

1. ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介和分類(lèi)
2. HBM模式測(cè)試方法與測(cè)試儀器
3. MM模式測(cè)試方法與測(cè)試儀器
4. CDM模式測(cè)試方法與測(cè)試儀器
5.TLP的測(cè)試方法與測(cè)試儀器
6.電子槍放電的測(cè)試方法與測(cè)試儀器

三.常用的ESD防護(hù)的器件

1.二極管及二極管串設(shè)計(jì)及建模
2.三極管及場(chǎng)氧器件設(shè)計(jì)及建模
3.MOS管及其相關(guān)設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)及建模
4.晶閘管及其相關(guān)設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)及建模

四、系統(tǒng)級(jí)和電路板級(jí)ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì)

1.ESD需求指標(biāo)的設(shè)定
2.IC輸入/輸出端的ESD防護(hù)電路
3.混合信號(hào)IC的ESD防護(hù)電路。
4.全芯片級(jí)ESD防護(hù)的設(shè)計(jì)
5.IC電路布線(xiàn)布局優(yōu)化6.電路板級(jí)ESD防護(hù)的設(shè)計(jì)。

第 二 階 段

納米集成電路上ESD防護(hù)設(shè)計(jì)

一、晶閘管類(lèi)ESD防護(hù)器件設(shè)計(jì)

1. 晶閘管ESD防護(hù)器件工作機(jī)理以及晶閘管類(lèi)器件設(shè)計(jì)可能出現(xiàn)的問(wèn)題。
2. 對(duì)不同種類(lèi)晶閘管器件結(jié)構(gòu)的回顧。
3. 晶閘管的標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)方法論。
4. 晶閘管器件直流和混合模式的TCAD仿真

二、鉗位單元設(shè)計(jì)

1. CMOS工藝中關(guān)鍵ESD元件設(shè)計(jì)。
2. 以可控方式泄放ESD電荷的鉗位單元設(shè)計(jì)。
3. 影響ESD防護(hù)性能的設(shè)計(jì)因素考慮。

三、 CDM模式ESD的設(shè)計(jì)及測(cè)試研究

1.VF-TLP與TLP測(cè)試原理
2.常用開(kāi)啟速度測(cè)試方法
3.利用TLP測(cè)試器件的開(kāi)始速度
4.不同器件的開(kāi)啟速度的評(píng)估

四 CAD仿真工具在ESD防護(hù)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

1. SPICE電路級(jí)仿真與器件建模的研究進(jìn)展
2. 工藝器件級(jí)TCAD仿真的應(yīng)用

五、射頻集成電路的ESD設(shè)計(jì)

1. 射頻ESD簡(jiǎn)介。
2. 射頻ESD測(cè)試專(zhuān)題。
3. 射頻ESD防護(hù)建模。
4. 射頻ESD 防護(hù)設(shè)計(jì)。
5. 射頻功能完整性的ESD優(yōu)化。
6. 利用工藝仿真器和器件仿真器來(lái)進(jìn)行射頻ESD輔助設(shè)計(jì)。

六、實(shí)際案例分析

1、常用的基于晶閘管(SCR)的靜電放電(ESD)防護(hù)電路
2、柵輔助觸發(fā)的高性能晶閘管(SCR)的靜電放電(ESD)防護(hù)電路
3、空間對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)的高性能晶閘管(SCR)的靜電放電(ESD)防護(hù)電路

 
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